aln烧结设备
aln烧结设备,微波烧结设备主要应用于烧结各种高品质的陶瓷、氮化硅、碳化硅、氧化铝、氮化铝、氧化锆等;烧结电子陶瓷器件:压电陶瓷、压敏电阻等。所谓微波烧结或微波燃烧合成是指用微波辐照来代替传统的热源。均匀混合的物料或预先压制成型的料坯通过自身对微波能量的吸收(或耗散)达到一定的高温,从而引发燃烧合成反应或完成烧结过程。由于它与传统技术相比较,属于两种截然不同的加热方式。.。
aln烧结设备,文档信息时代贡献于.分人我要大家印象:贡献者等级:初试锋芒二级格式暂无电子封装用烧结工艺及机理隐藏学位论文独创性声明学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其它人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得南昌大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名(手写):矢盟签字学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解直基盍堂有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权直基太堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。同时授权中国科学技术信息研究所将本学。
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aln烧结设备,氮化铝陶瓷具有优良的综合性能,如高热导率、高绝缘性、低介电常数和介电损耗等,是大规模集成电路、半导体模块电路和大功率器件的理想散热材料和封装材料。但难以烧结,在很大程度上限制了的应用。放电等离子烧结是一种新颖的具有独特技术优势的烧结技术,在促进烧结致密化和降低制备成本方面具有很大的发展潜力。本文对纯一粉体进行了烧结,重点分析了烧结的过程与致密化机理,探讨了试样组成、结构与热导率之间的关系。温度的升高、保温时间的延长有利于粉体的烧结,纯在’下保温可得到致密度为的烧结体;而添加或可显著促进的烧结,采用,的升温速率,在下保温均可得到接近理论密度的试样,比同样烧结条件下的纯提高了以上。对烧结过程的观察表明,其分为两个阶段:在,添加剂与粉体表露的越发生固相反应生成晶界提,促进烧结,显微结构由疏松变得致密;温度高于,生成的晶界相发生移动,逐渐聚集于/颗粒交界处,使得颗粒之间的面接触增加,并且温度的。
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aln烧结设备,电子工业专用设备总第期氮化铝陶瓷烧结炉温度均匀性对烧结产品质量影响的研究王磊河北半导体研究所河北石家庄摘要氮化铝陶瓷是近年来广受关注的一种新型陶瓷材料是剧毒氧化铍的替代材料其在高功率电子领域有着相当广泛的应用前景但是氮化铝陶瓷是难烧结的非氧化物陶瓷陶瓷的烧结对氮化铝陶瓷性能的影响非常大尤其是在氮化铝陶瓷批量生产过程中陶瓷烧结炉的温度不均匀将导致陶瓷性能的巨大差异。简要介绍了氮化铝陶瓷烧结炉温度均匀性对烧结产品质量的影响。氮化铝烧结炉温度均匀性批量生产中图分类号.文献标识码文章编号:收稿日期氮化铝是一种高热导率的新型陶瓷材料具有高热导率、理论热导率为是陶瓷的倍具有高介电常数约为陶瓷的.倍热膨胀系数与硅匹配.绝专题报道电子工业专用设备总第期温度时间图排胶工艺曲线缘强度高体电阻率Ω无毒、兼容各种芯片组装工艺的优点非常适合在有功率要求的微波、波电路中应用。此外氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及。
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aln烧结设备,刘盟摘要:氮化铝陶瓷导热性能良好,是集成电路基板和电子封装的理想材料。但氮化铝为强共价键结合物,熔点高,自扩散系数小,通常需要热压烧结才能制备出高致密的氮化铝陶瓷。并且氮化铝对氧的亲和力很强,在陶瓷制备过程中容易引入氧杂质,造成导热性下降。本文通过常压烧结氮化铝陶瓷,研究了不同制备工艺和选取不同烧结助试剂对氮化铝陶瓷的的烧结过程的影响。通过分析氮化铝陶瓷制备过程中引入氧杂质的情况,研究了氮化铝粉末热氧化和水解氧化行为,并以此为基础研究了氮化铝陶瓷制备工艺对氮化铝氧化的影响。结果表明:氮化铝热氧化过程在下便可以进行,并且粒径较小的氮化铝粉末更易被氧化。而氮化铝水解氧化过程有一个较长时间的起始阶段,此阶段反应进行较缓慢。在陶瓷烧结过程中,利用碳黑埋粉,可产生碳热还原作用,避免了氮化铝的氧化。通过改变制备工艺,进行了氮化铝陶瓷的低温烧结,研究了不同条件对氮化铝陶瓷致密度的影响。结果表明:在氮。
aln烧结设备,温馨提示:我们不销售任何技术名称对应的实物产品和设备,请购买实物产品和设备的朋友不要咨询.!一种制备氮化铝陶瓷基片的方法本发明属于无机非金属材料领域,涉及对氮化铝陶瓷基片制备方法的改进。本发明利用氧化铝和亲水性石墨或者碳黑为主要原料制备氮化铝陶瓷基片,其工艺步骤为:配料,坯片成坯片干燥,撒沙叠片,碳热还原氮化反应,残碳烧除,抛磨清除隔离砂,覆平处理。本发明的优点为:原材料来源充足,成本降低为原来的,同时也没有环境污染问题。含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造检测设备的陶瓷基材一种含碳的氮化铝烧结体,包括氮化铝基体和包含在其中的峰在激光拉曼光谱分析的和的碳。含碳的氮化铝烧结体由于在或更高温度范围例如或更高具有至少Ω高体积电阻率而不会出现短路,掩蔽性能优良,提高了辐射热量,并且能确保用表面温度计进行准确测定。高热导率氮化铝陶瓷本发明涉及一种高热导率氮化铝陶瓷,属陶瓷材料技术领域。该陶瓷由粉。
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aln烧结设备,:氮化铝陶瓷导热性能良好,是集成电路基板和电子封装的理想材料。但氮化铝为强共价键结合物,熔点高,自扩散系数小,通常需要热压烧结才能制备出高致密的氮化铝陶瓷。并且氮化铝对氧的亲和力很强,在陶瓷制备过程中容易引入氧杂质,造成导热性下降。本文通过常压烧结氮化铝陶瓷,研究了不同制备工艺和选取不同烧结助试剂对氮化铝陶瓷的的烧结过程的影响。通过分析氮化铝陶瓷制备过程中引入氧杂质的情况,研究了氮化铝粉末热氧化和水解氧化行为,并以此为基础研究了氮化铝陶瓷制备工艺对氮化铝氧化的影响。结果表明:氮化铝热氧化过程在下便可以进行,并且粒径较小的氮化铝粉末更易被氧化。而氮化铝水解氧化过程有一个较长时间的起始阶段,此阶段反应进行较缓慢。在陶瓷烧结过程中,利用碳黑埋粉,可产生碳热还原作用,避免了氮化铝的氧化。通过改变制备工艺,进行了氮化铝陶瓷的低温烧结,研究了不同条件对氮化铝陶瓷致密度的影响。结果表明:在氮化铝陶瓷。