电流脉冲碳化硅
电流脉冲碳化硅，摘要采用种电阻率的钒掺杂半绝缘晶体制作了横向结构的碳化硅光导开关，分别加载不同的偏压、并使用不同能量的激光触发开展光电导实验。对比实验结果表明：高暗态电阻率的碳化硅光导开关耐压特性远远优于低暗态电阻率的碳化硅光导开关，耐压从提高到了；但高暗态电阻率的开关导通电阻也较大，导通电阻为量级，比低暗态电阻率的碳化硅光导开关的近百增加了个量级。通过激光脉冲波形与光电流脉冲波形的比较，估算出种光导开关的载流子寿命和载流子迁移率。将这个参数与砷化镓光导开关进行比较，推导出低的载流子迁移率是碳化硅开关导通电阻较大的主要原因。在实验和分析的基础上改进设计，研制出了工作电压超过、工作电流超过的碳化硅光导开关。.刘宏伟，等.影响碳化硅光导开关最小导通电阻的因素.强激光与粒子束.,.。
电流脉冲碳化硅，摘要采用种电阻率的钒掺杂半绝缘晶体制作了横向结构的碳化硅光导开关，分别加载不同的偏压、并使用不同能量的激光触发开展光电导实验。对比实验结果表明：高暗态电阻率的碳化硅光导开关耐压特性远远优于低暗态电阻率的碳化硅光导开关，耐压从提高到了；但高暗态电阻率的开关导通电阻也较大，导通电阻为Ω量级，比低暗态电阻率的碳化硅光导开关的近百Ω增加了个量级。通过激光脉冲波形与光电流脉冲波形的比较，估算出种光导开关的载流子寿命和载流子迁移率。将这个参数与砷化镓光导开关进行比较，推导出低的载流子迁移率是碳化硅开关导通电阻较大的主要原因。在实验和分析的基础上改进设计，研制出了工作电压超过、工作电流超过的碳化硅光导开关。标签光导开关碳化硅导通电阻载流子迁移率载流子寿命,ΩΩ,.中图分类号开关国家自然科学基金项目；国家自然科学基金青年基金项目；中国工程物理研究院科学技术发展基金项目（,）修改稿日期网络出版日期作者单。
电流脉冲碳化硅，引言借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管（功率）和绝缘栅双极晶体管等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。目前，这些器件的开关性能已随其结构设计和制造工艺的相当完善而接近其由材料特性决定的理论极限，依靠硅器件继续完善和提高电力电子装置与系统性能的潜力已十分有限。于是，依靠新材料满足新一代电力电子装置与系统对器件性能的更高要求，早在世纪交替之前在电力电子学界与技术界形成共识，对碳化硅电力电子器件的研究与开发也随之形成热点。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果。使用宽禁带材料可以提高器件的工作温度。和的禁带宽度分别高达.和.，相应的本征温度可高达以上；即是禁带最窄的，其禁。
电流脉冲碳化硅，螺旋喷嘴是众多喷嘴中特色的一种。随着连续变小的螺旋体，浆液不断经螺旋线相切和碰撞后改变方向成片状喷射成同心轴状锥体，而且液体在从进入喷嘴腔体到出口的通道内均没有受到任何阻碍。且在很低的操作压力下仍具有很高的吸收效率，获得了脱硫系统的普遍认可。高效率：在很低的操作压力下具有很强的吸收效率，即在达到同等流量的情况下，喷嘴数量可以选择更少。采用这种喷嘴，仅降低压力所减少的泵耗电量一项可以在很短的时间内收回初期喷嘴的投资。无堵塞结构设计：由于其独特的防阻塞结构设计，比普通喷嘴大出一倍的畅通直径，即使在很恶劣的工况下，也可有效的避免堵塞现象产生。优良的防堵塞效果大大减少您的维护费用。覆盖范围广，雾化性能好：标准角度是度和度，并可提供其他角度；在同样安装高度下，与其他喷嘴相比，单个喷嘴的覆盖范围会更广。同时，由于液体在进入喷嘴腔体到出口的通道内，均没有受到任何阻碍，可以在很低的压力下，可以。
电流脉冲碳化硅，摘要:采用分组脉冲电源对电阻率为Ω的碳化硅陶瓷进行电火花铣削加工,该方法能够提高加工的稳定性和脉冲利用率,较大地提高了材料去除率,材料去除率可达对高频脉冲宽度、高频脉冲间隔、峰值电压、峰值电流、加工极性、电极转速以及低频脉冲频率等对碳化硅电火花加工工艺效果的影响进行了试验研究与理论分析,得到了相应的规律关系.采用扫描电子显微镜、射线衍射分析、能谱分析和硬度测试仪等对电火花铣削加工后碳化硅陶瓷工件表面的微观结构特性进行了测试与分析.结果表明：采用钢电极电火花铣削加工后碳化硅陶瓷工件表面的晶粒平均尺寸小于加工前表面的晶粒平均尺寸,加工后表面含有少量的铁元素,其硬度高于加工前材料的硬度.。
电流脉冲碳化硅，功率因数校正市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。规定了所有功耗超过的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理的规定，能源节省和空间成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用的附加驱动因素。主动有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式和连续电流模式。模式一般用于输出功率在到之间的应用；模式用于输出功率大于的应用。当输出功率超过时，具有成本效益，因为其它方面比如效率得到了补偿性的提高，因此实际上不增加额外的成本。主动是服务器系统架构一致性的要求：供电模块应该采用带主动功率因数校正的通用电源输入，从而可以减少谐波，符合和标准。这需要高功率密度应用能够提供较宽的输入电压范围，从而给级电路使用的半导体提出了特殊的要求。在输入交流电压时，必须有的，因为传导热损失与输入电压的次方成反比关。
电流脉冲碳化硅，碳化硅肖特基二极管在电源系统中的应用:碳化硅肖特基二极管在电源系统中的应用功率因数校正市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。规定了所有功耗超过的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理的规定，能源节省和空间成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用的附加驱动因素。主动有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式和连续电流模式。模式一般用于输出功率在到之间的应用；模式用于输出功率大于的应用。当输出功率超过时，具有成本效益，因为其它方面比如效率得到了补偿性的提高，因此实际上不增加额外的成本。主动是服务器系统架构一致性的要求：供电模块应该采用带主动功率因数校正的通用电源输入，从而可以减少谐波，符合和标准。这需要高功率密度应用能够提供较宽的输入电压范围，从而给级电路使用的半导体提出了特殊的要。
电流脉冲碳化硅，研发电子引言借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管（功率）和绝缘栅双极晶体管等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。目前，这些器件的开关性能已随其结构设计和制造工艺的相当完善而接近其由材料特性决定的理论极限，依靠硅器件继续完善和提高电力电子装置与系统性能的潜力已十分有限。于是，依靠新材料满足新一代电力电子装置与系统对器件性能的更高要求，早在世纪交替之前在电力电子学界与技术界形成共识，对碳化硅电力电子器件的研究与开发也随之形成热点。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果。使用宽禁带材料可以提高器件的工作温度。和的禁带宽度分别高达.和.，相应的本征温度可高达以上；即是禁带最窄。
电流脉冲碳化硅，摘要：采用种电阻率的钒掺杂半绝缘晶体制作了横向结构的碳化硅光导开关,分别加载不同的偏压、并使用不同能量的激光触发开展光电导实验。对比实验结果表明：高暗态电阻率的碳化硅光导开关耐压特性远远优于低暗态电阻率的碳化硅光导开关,耐压从提高到了但高暗态电阻率的开关导通电阻也较大,导通电阻为Ω量级,比低暗态电阻率的碳化硅光导开关的近百Ω增加了个量级。通过激光脉冲波形与光电流脉冲波形的比较,估算出种光导开关的载流子寿命和载流子迁移率。将这个参数与砷化镓光导开关进行比较,推导出低的载流子迁移率是碳化硅开关导通电阻较大的主要原因。在实验和分析的基础上改进设计,研制出了工作电压超过、工作电流超过的碳化硅光导开关。
电流脉冲碳化硅，借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管（功率）和绝缘栅双极晶体管等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。目前，这些器件的开关性能已随其结构设计和制造工艺的相当完善而接近其由材料特性决定的理论极限，依靠硅器件继续完善和提高电力电子装置与系统性能的潜力已十分有限。于是，依靠新材料满足新一代电力电子装置与系统对器件性能的更高要求，早在世纪交替之前在电力电子学界与技术界形成共识，对碳化硅电力电子器件的研究与开发也随之形成热点。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果。使用宽禁带材料可以提高器件的工作温度。和的禁带宽度分别高达.和.，相应的本征温度可高达以上；即是禁带最窄的，其禁带宽。
电流脉冲碳化硅，脉冲功率技术伪火花开关电极烧损碳化硅中图分类号文献标识码常用的脉冲功率开关有高压气体开关流管和汞蒸汽闸流管等高压气体开关虽然耐受电导通电流大单次传输电荷大可反向工作因是火花放电故电极烧损大总传输电荷氢气闸流管工作频率高电极烧损小总传输电荷可达但其电压低单次传输电荷小需预先加热阴极且反向导流而汞蒸汽闸流管的使用则因汞的污染而受限制乃至禁止伪火花放电开关的研究进展很快其电流导通能力和上升速度接近高压气体开关对称电极结构可通过的反向电流高电压大电流及高达的电流密度使伪火花开关也存在电极的烧损问题特别是电流烧损急剧增加成为限制伪火花开关及其触发单元寿命的主要因素电极烧损改变电极孔径增加电极表面粗糙度电极蒸发形成的粉尘引发内绝缘沿面放电导致开关着火电压下降和误放电率增加甚至无法工作目前的解决方案有二一是采用多通道技术将放电电流分为几个。
电流脉冲碳化硅，引言借助于微电子技术的长足发展，以硅器件为基础的电力电子技术因大功率场效应晶体管（功率）和尽缘栅双极晶体管等新型电力电子器件的全面应用而臻于成熟。目前，这些器件的开关性能已随其结构设计和制造工艺的相当完善而接近其由材料特性决定的理论极限，依靠硅器件继续完善和进步电力电子装置与系统性能的潜力已十分有限。于是，依靠新材料满足新一代电力电子装置与系统对器件性能的更高要求，早在世纪交替之前在电力电子学界与技术界形成共叫，对碳化硅电力电子器件的研究与开发也随之形成热门。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中产生硅器件难以产生的效果。使用宽禁带材料可以进步器件的工作温度。和的禁带宽度分别高达.和.，相应的本征温度可高达以上；即是禁带最窄的，其禁。
电流脉冲碳化硅，中新网电据中国国防科技信息网报道，美国陆军研究人员正在向行业寻求开发进的碳化硅半导体功率电子技术，用于下一代高压开关设备。陆军发布了一份关于“碳化硅高压功率技术”项目的招标公告，重点关注半导体开关设计、外延材料生长、半导体器件制造和芯片堆栈封装技术。陆军研究人员感兴趣的领域包括增加高效电流密度，采用更大尺寸的芯片堆栈，更高的开关频率，阻断电压大于伏。该项目将重点开发高压双极半导体开关，最终单芯片阻断电压在，电流负荷。这些开关应能在导通电流额定值时关闭。美国陆军正在考虑使用一种高等级配置的高压开关，脉冲电压，最小电压，电流峰值，频率为。另一种应用是利用高压开关和二极管控制电源存储电容器的放电，平均电流，短路电流。陆军希望开发一种封装技术，可提供电压隔离、传热、电流和频率，从而使器件性能摆脱封装局限，尽量减小器件体积。回应日期截止到。工业和信息化部电子科学技术情报研究所陈皓更多精彩。
电流脉冲碳化硅，适合各种电源应用的碳化硅肖特基二极管发布:作者:来源:查看:次用户关注：功率因数校正市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。规定了所有功耗超过的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理的规定，能源节省和空间成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用的附加驱动因素。主动有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式和连续电流模式功率因数校正市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。规定了所有功耗超过的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理的规定，能源节省和空间成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用的附加驱动因素。主动有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式和连续电流模式。模式一般用于输。
电流脉冲碳化硅，张招柱薛群基沈维长刘维民金属氧化物填充复合材料的摩擦磨损性能研究第六届全国摩擦学学术会议论文集（上册）年李宇兵刘文利高建华李蕾裘南畹金属氧化物气敏薄膜的厚度效应Ⅰ气敏薄膜厚度效应的实验规律第六届全国气湿敏传感器技术学术交流会论文集年刘文利李宇兵李蕾高建华裘南畹金属氧化物气敏薄膜的厚度效应Ⅱ扩散反应理论和气敏晶体的介观效应第六届全国气湿敏传感器技术学术交流会论文集年李艳峰张俊热线型乙醇气敏元件研究第六届全国气湿敏传感器技术学术交流会论文集年周惠娣贾均红周华阎逢元陈建敏金属氧化物填充聚四氟乙烯在水润滑条件下的摩擦学研究第七届全国摩擦学大会论文集（二）年朱超官文超龙华曹远美脉冲激光沉积法制备抗近红外紫外金属氧化物纳米薄膜第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ年丁伟中张玉文郭曙强鲁雄刚等离子氢还原氧化物的强化届中德（欧）冶金技术研讨会论文集年肖芳张校刚胡风平张军玲钙铁矿型金属氧化物的制。
电流脉冲碳化硅，摘要摘要本文探讨了衬底材料掺杂浓度、陷阱浓度、外界入射脉冲光及外加电压等因素对不同尺寸的光导开关的工作特性的影响具体分析了其机理以及对于改善光导开关工作性能的意义。采用钒掺杂半绝缘型作为衬底建立横向光导开关模型当横向总宽度、电极宽度、纵向厚度时陷阱浓度为弓的光导开关暗电阻达比陷阱浓度为弓的光导开关暗电阻率增加了高达倍。因此通过控制陷阱浓度可以有效改善光导开关的暗态特性。瞬态光电流上升时间为下降时间约。陷阱浓度越大上升时间与下降时间也越小但峰值光电流偏小。带隙中的深能级束缚自由电子实现补偿作用外还有限制迁移率及载流子寿命等特点。器件工作于本征吸收模式验证了频率定则即入射光子的能量必须大于禁带宽度才能得到有效的光电流。光导开关尺寸增至其电极为当光能密度为入射光波长为外加电压为时峰值电流可达。上升时间为左右下降时间则稳定在左右。为了使光导开关高速化需要在减小光激励载流子移动距离的同时也使载流。